SPT full dynamic algorithm based on BS model;
基于球绳模型的SPT完全动态算法
A full analytical breakdown model for thin epitaxial RESURF LDMOS is present- ed in this paper.
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。
本站部份资料来自网络或由网友提供,如有问题请速与我们联系,我们将立即处理!
版权所有©四级英语单词 网站地图 陇ICP备2023000160号-4
免责声明:本站非营利性站点,以方便网友为主,仅供学习。