Polysilicon doped heavily is introduced as solid phase diffusion source to realize ultra shallow source and drain extensions.
1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 。
本站部份资料来自网络或由网友提供,如有问题请速与我们联系,我们将立即处理!
版权所有©四级英语单词 网站地图 陇ICP备2023000160号-4
免责声明:本站非营利性站点,以方便网友为主,仅供学习。