这是利用合金工艺(金属与半导体熔合的一种技术)制造出来的一种p-n结。合金工艺的基本点,就是把杂质金属与半导体衬底放在一起加热、让局部熔化成为液相合金之后,然后冷却、再结晶来得到高掺杂的半导体区域,从而可制作出p-n结。例如,在n型Ge衬底上放置p型杂质In粒,通过熔化和再结晶后,就在In粒的下面产生出了合金p-n结。合金结属于单边突变结。
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