张纪才

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1997年于曲阜师范大学物理系获得学士学位， 2001年于北京大学物理系获得理学硕士学位，2005年于中科院半导体研究所获得工学博士学位。2005-2006年，在以色列理工学院做博士后研究员，主要用MOCVD方法生长GaN量子点；2006-2010年，在日本名古屋工业大学做讲师研究员，参加了NGK Insulators公司的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LEDs）研发工作。2010年4月-6月，在日本三重大学做研究员，主要是HVPE生长AlN衬底材料。2010年7月入所，目前从事GaN，AlGaN，AlN的HVPE生长以及相关光电器件的研发。